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探針廠商

常用規格

排針(探針) CSP-21D2

CSP-21D2 圓形彈簧針頭部直徑1.7φ長度24.7mm

R-2W2C CSP-21D2 彈簧針套 φ1.5 / 23.5mm

 

中國探針

http://www.pccp.com.tw/index.php?option=com_content&view=article&id=116&Itemid=163&lang=zh


 INGUN 測試針

http://www.zxdz138.com/big33.html

 

ingun

http://www.ingun.de/index.php?option=com_content&view=article&id=48&Itemid=55&lang=en

http://www.ingun.co.uk/cable-harness-test-probe-overview.php

 

廣華電子商城CSP-21D2

http://shop.cpu.com.tw/product/22298/info/

CSP-21D2
含稅 $ 請登入
圓形彈簧針頭部直徑1.7φ長度24.7mm x10支

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2011-03-04 11:15

下圖是一個典型的level shift電路,主要是由一個NMOS和兩個上拉電阻構成。其level shift是雙向的。但它需要滿足幾個條件,否則就可能會出現漏電的情況。先分析一下它的工作原理


先分析從左到右的功能:

       當NMOS的S級(源級)輸入的是高電平3.3V,這時NMOS不導通,並且由於其D級(漏極)被上拉到5V,所以這樣兩極管也不導通。這樣它的輸出就是5V電平。

      當NMOS的S極輸入的是低電平0V,這時NMOS導通,這時其D極輸出就會拉到0V。這樣就實現了由左到右的電平轉換。

再分析從右到左:

      當NMOS的D級輸入是5V的高電平,由於其S極通過4.7k電阻上拉到3.3V。所以NMOS和裡面的二極管都不導通,因此S級的電平是3.3V

     當NMOS的D級輸入是0V的低電平,由於裡面的二極管導通,所以S極的電平是0V。

 

以上的分析都是假定電源已經ok。所以在實際應用時要注意:

1、NMOS的D級高電平的電平面要比S極的要高。否則在高電平的時候會通過兩級管把io電平拉成其他電平。

2、NMOS的D級電平面要比S級的更早有電,否則S極就會通過兩極管向D級漏電。

3、NMOS的G級電平最好和S級的一樣。

4、G級的電平面大於NMOS的閾值電壓

 

 

 

還有一種比較簡單的(帶反向的)level shift:

其中PQ8的pin1電平是3.3V的,但通過這個電路,就可以將輸出的電平變成+VDC(12V)。其實這個電路也可以看著是實現level shift的功能,這不過這個是單向的,並且是反向的。需要注意的是輸入的電平必須要大於Vth(MOS的閾值電壓)。被轉成的電平基本上可以不用考慮。

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雜誌 2007 無線RF測試專題

http://wenku.baidu.com/view/406f970c844769eae009edb8.html

​無線傳感器網絡標準之爭—ZigBee與Z-Wave比較分析

  一、ZigBee與Z-Wave發展狀況

  在無線傳感器網絡(WSN)領域中,多數人看好的是ZigBee,畢竟ZigBee有國際標準IEEE 802.15.4為其技術根基,且目標市場較廣、潛在需求用量較大。相對的,丹麥Zensys公司所提出的Z-Wave技術不僅沒有國際標準為其依靠,應用上也僅止於家庭自動化,不似ZigBee能同時適用在工控、醫療、安全等多種領域。
  就技術標準而言Z-Wave已矮於ZigBee一截,而推廣上,Z-Wave也一樣居於弱勢。Zensys極力避免他人認定Z-Wave是該公司專屬自用的技術,一旦如此認定,勢對Z-Wave的普及推廣產生阻力,所以Zensys發起、成立了Z-Wave Alliance的聯盟機構,期望以機構主導此標準的推廣,讓Z-Wave技術獲得更廣泛的採用。
  雖然Z-Wave Alliance已有100多家業者加入成會員,但仔細觀察會員名單,卻相當缺乏IT、通訊、消費性電子等3C領域的重量級業者來支持,相對的國際級的半導體業者幾乎都支持及參與ZigBee,因此Z-Wave連業者陣容、機構氣勢等方面也一樣不如ZigBee。
  不過,Z-Wave的氣勢低落是2006年1月以前的事,在此之後就風雲突變,首先是通訊設備大廠思科(Cisco)宣布投資Zensys公司(Cisco雖投資與支持Z-Wave,但主要也是將Z-Wave技術用在家庭性的無線應用產品上,此方面屬於Cisco旗下Linksys的業務範疇),並加入Z-Wave Alliance機構,之後在同年6月與Intel的創投單位Intel Capital宣布投資Zensys,且一樣加入Z-Wave Alliance,頓時Zensys、Z-Wave獲得IT、通訊兩大領域的重量級業者的力挺,氣勢大增。 
  到了2007年1月,軟件巨頭Microsoft也呼應Z-Wave技術,在其.NET Micro Framework(簡稱:.NET MF)上加入對Z-Wave的支持,並宣布與Z-Wave Alliance中的會員業者Leviton 、ControlThink等共同研發Z-Wave應用,再加上PC外圍大廠Logitech(羅技)也推出使用Z-Wave技術的家庭遙控器,從這種種跡象來看,Z-Wave的發展並沒有想像中的悲觀,並且從單純的家庭自動化應用,擴展延伸到數字家庭的領域中。
  此外,Z-Wave標準與Z-Wave功效技術等在近年來也持續進步中,許多技術細節與支持芯片也都有所強化、提升。
  二、Z-Wave技術更新
  過去,若對Z-Wave有所了解的讀者,必然對Z-Wave的傳輸率表現感到印象深刻,不過這並非是強悍的深刻,反而是低落的深刻,Z-Wave的傳輸率僅有9.6kbps ,雖然WSN本就不強調數據的傳輸速度、傳輸量,但也不至於過低,以ZigBee來相對比較,即便不去談論2.4GHz頻段的250kbps傳輸率,在915MHz頻段上也至少有40kbps,或在868MHz頻段上也還有20kbps,ZigBee的三種速率模式都沒有低至9.6kbps。
  也許Z-Wave陣營已了解到此一弱處,並在之後進行強化改進,新的資料顯示,Z-Wave除了原有的9.6kbps速率外,也另增一個可達40kbps速率的模式,以此拉近與ZigBee之間的差距,如此ZigBee除了在2.4GHz的250kbps速率勝過Z-Wave外,另兩種模式與Z-Wave無太大差異。
  而且,Z-Wave提出的新速率能與原有9.6kbps速率的節點裝置完全兼容互通,即是在同一個Z-Wave網絡內能並存運用9.6kbps的節點與40kbps的節點,如此在佈建的規劃設計與延伸上可更便利。
  在使用頻段方面,Z-Wave也與ZigBee差距不大,Z-Wave雖不像ZigBee能在2.4GHz頻段使用,但也能在868MHz及908MHz(具體而言是868.42MHz及908.42MHz)的頻段工作,且與ZigBee相同的,868MHz頻段在歐洲地區運用,908MHz(ZigBee位於相近的915MHz)頻段則是在美國地區運用。
  至於無線發送的調製,Z-Wave依舊是使用原有的GFSK(Gaussian Frequency Shift Keying)方式。相對的,ZigBee在868MHz與915MHz頻段是使用BPSK(Binary Phase-Shift Keying)調製,而在2.5GHz頻段是使用正交式QPSK(Quadrature Phase-Shift Keying)調製。
  三、歐洲與美國地區的差異
  若更進一步了解,可以發現Z-Wave技術與今日其它新推行的無線技術一樣,經常遭遇到各地區電信法規的不同限制,而必須做出各種的因應與妥協。
  舉例而言,Z-Wave在歐洲所使用的868MHz頻段,在法規上有佔空比不得大於百分之一的限制,也就是說:Z-Wave真正在進行無線信號發送的時間與沒有在發送無線信號的時間,比例是1:99,若將時間刻度放大來解釋,即是發送1秒鐘的無線信號後,必須停止、閒置99秒,之後才能進行第二次發送,且發送時間一樣只能持續一秒,接下來又是長達99秒的等待。很明顯的,此項法規的限制也使Z-Wave不易提升其傳輸率。
  當然,在長達99秒的等待過程中,Z-Wave節點(或稱:裝置)可以進入休眠的省電狀態,藉此來降低功耗、節省用電,此方面Z-Wave已能達0.1 %的佔空比,同樣以時間刻度放大的角度來說明,若一樣以100秒為一個週期單位,Z-Wave可以只工作0.1秒,其餘99.9秒的時間都在休眠。
  雖然Z-Wave在歐洲的868MHz頻段上有佔空比的限制,但相對的在美國908MHz頻段上就沒有這項限制,所以理論上Z-Wave日後可以在908MHz頻段上有更高的速率提升空間。
  不過,美國的908MHz頻段卻也有另一項缺點,即是對發送功率進行限制,其發送功率不得高於1毫瓦,相對的歐洲在這方面的規範反而較寬鬆,只要在25mW內都屬合法使用,發送功率限制的結果也會連帶限制Z-Wave的發送距離、無線覆蓋率。至於ZigBee方面目前的最大發送功率也是在1mW(0dBm)內。
  四、二者間技術上的差異
  既然談及發送距離,那麼也必須比較Z-Wave與ZigBee間的發射差異,Z-Wave的發送距離為100英呎(約30公尺),且要達到如此距離必須在電波的傳送路徑上沒有任何阻擋,然而這並不表示Z-Wave無法進行穿透性傳輸,Z-Wave的無線發送依舊可以穿牆收發,不過穿越阻隔物的代價是減損傳輸距離,目前Z-Wave陣營尚未公佈穿透性傳輸表現的相關信息,只以不同的穿透材質而有不同的距離折損來說明。
  同樣的,ZigBee方面也並未有完整具體的傳輸距離信息,僅有32英呎∼246英呎(10公尺∼75公尺)的概略描述,且一樣表示必須依據實際發送的環境而定。
  Z-Wave與ZigBee之間除了傳輸速度、傳輸距離有別之外,在節點數目、拓樸型態、安全加密上也都各有不同。
  首先是節點數目,此方面Z-Wave並未有所改變,依舊是每個網絡內最多232個節點,若想與更多節點聯繫,就必須使用跨網的橋接(Bridge)技術才行。
  至於ZigBee方面,ZigBee的節點尋址達16-bit,理論上可以達65,536個節點,此遠遠勝過Z-Wave,此外ZigBee還能選用更大範疇的64-bit尋址,如此節點數就不可限量。更進一步的,IETF已擬定讓ZigBee與IPv6接軌整合的6loWPAN(全稱為:IPv6 over Low power WPAN),ZigBee節點將可以廣大Internet結合,這些方面Z-Wave都無法比擬。
  另外在連接拓樸方面,Z-Wave只有一種拓樸型態,即是網狀(Mesh),而ZigBee除了也有網狀拓樸外,也支持星狀(Star)、叢集狀(Cluster)等拓樸。值得注意的是,各節點除了自身所需的信號收發外,也會代為中繼傳遞其它節點的信號,無論是自身需求的收發或轉傳其它節點的信號,該節點都會脫離休眠狀態而進入運行狀態,而經常扮演中繼工作的節點將比其它節點更為忙碌,功耗也會較多,所以在實際佈建時的設計規劃上,也會盡量以非使用電池運行的裝置來擔任忙碌型中繼的角色。
  至於安全加密方面,ZigBee使用128-bit的AES對稱加密,而Z-Wave則是尚未有任何加密的設計,這其實不難想像,在Z-Wave最初只有9.6kbps的傳輸帶寬下,若再進行加密性傳輸,則實質數據的傳遞量將會更少,因此不太可能在9.6kbps中再行加密,不過Z-Wave將速率提升至40kbps後,也應該開始考慮提供加密的措施。
  五、二者間在應用領域的差異
  平心而論,Z-Wave在訂立之初就以家庭自動化應用為目標,而ZigBee則是追求更廣泛應用為目標,兩者各在最初指導思想就有不同的考慮,自然在規格上也有諸多落差,此實不能單就規格數據表現來論斷。
  特別是Z-Wave獲得Cisco、Intel、Microsoft等資通訊大廠的支持後,Z-Wave已從單純的家庭自動化應用,開始擴展延伸到數字家庭領域,甚至是家庭自動化與數字家庭的接軌整合等,加上Z-Wave的各項技術仍在持續提升,從9.6kbps增進到40kbps可說是該陣營的一大鼓舞,同時也是給ZigBee更大的競爭壓力。
  此外,ZigBee原先期望也用於PC外圍或消費性電子的遊戲玩具中,但就目前來看,無論是PC所用的無線鼠標、無線鍵盤,還是Nintendo Wii的無線遊戲控制器、Sony PlayStation 3的無線遊戲控制器,都是使用藍牙而非ZigBee,加上藍牙芯片已多年大量量產,組件的量價均攤已達高度成熟,ZigBee當初設定以更低價格取代藍牙在控制領域應用,此一構想的實現難度也日益增高。
  由此來看,現在最需要擔心的反而不是規格表現偏弱的Z-Wave,反而是追求應用領域最大化的ZigBee,很有可能落入“樣樣通、樣樣松”的結果。Z-Wave佔據家庭(家庭自動化、數字家庭;Bluetooth擁有信息(無線鍵盤/鼠標)、通訊(無線耳機/話筒)、消費性電子(電玩控制器),或許最後最適合ZigBee的將會落在工控、醫療等領域。

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參考這篇 Default Program Editor 設定Windows7檔案關聯

下面設定是無效的

用相容模式也是沒用

[Windows 7]設定檔案關聯

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引用:http://hi.baidu.com/wycswycs/blog/item/a5f1f26db4280ad780cb4a45.html/cmtid/2c7c8e0a7ca7588cd1581bd4

運算放大器穩定性之原理與分析15之1:迴路穩定性基本原理
 http://www.ti.com.tw/articles/detail.asp?sno=81

關於零點和極點的討論
2010-06-29 22:48
一、 傳遞函數中的零點和極點的物理意義: 零點:當系統輸入幅度不為零且輸入頻率使系統輸出為零時,此輸入頻率值即為零點。 極點:當系統輸入幅度不為零且輸入頻率使系統輸出為無窮大(系統穩定破壞,發生振盪)時,此頻率值即為極點。 舉例:有時你家音響或電視機殼發出一陣陣尖厲嘶嘶聲,此時聰明的你定會知道機殼螺絲鬆了,擰緊螺絲噪聲問題就解決了。其實,你所做的就是極點補償,擰緊螺 絲——你大大降低了系統極點頻率。當然此處系統是指機械振動系統不是電路系統,但系統原理一樣。 拋磚引玉爾。希望更多答案。(這一段有待討論)
二、,每一個極點之處,增益衰減-3db, 並移相-45度。極點之後每十倍頻,增益下降20db.零點與極點相反,在零點之處,增益增加3db,並移相45度。零點之後,每十倍頻,增益增加20db.波德圖如下:
零點圖找不到合適的,不過是與極點圖相反的。以下是極點圖。極點零點一般用於環路的穩定性分析

附上一個零點的圖,並附上一點心得

1.由於在CMOS裡面一般柵端到地的電容較大,所以一般人們就去取這個極點,也就是說

輸入信號頻率使得節點到地的阻抗無窮大(也就是所謂的1/RC)R為到的電阻,C為到地的電容(並聯產生極點)

零點在CMOS中往往是由於信號通路上的電容產生的,即使的信號到地的阻抗為0,

在密勒補償中,不只是將主極點向裡推,將次極點向外推(增大了電容),同時還產生了一個零點(與第三極點頻率接近),

只不過人們一般只關心前者。

2.經驗上來講,放大器電路中高阻抗的節點都要注意,即使這點上電容很小,都會產生一個很大的極點。零點一般就不那麼直觀了,通常如果兩路out of phase的信號相交就會產生零點,但這不能解釋所有的零點。

3.個人覺得零點、極點只是電路分析中抽象出來的輔助方法,可以通過零極點分析電路動作特徵,然而既然有抽象肯定有它的物理表現,極點從波特圖上看兩個 作用:延時和降低增益,在反饋系統中作用就是降低反饋信號幅度以及反饋回去的時間,所以如果某個節點存在對地電容,必然會對電容充電,同時電容和前級輸出 電阻還存在分壓,所以這個電容會產生極點!而要保持穩定,則要看在激勵情況下反饋信號會不會持續增加?而這就需要分析信號在通過電路的過程中的衰減或增加 和加快或者減慢,零極點這就表徵了電路的這種特性,所以可能某個節點會產生極點,也可能整個系統不同信號通路相互作用產生零極點。

俺也談談我的看法:

1。零/極點的產生與反饋與否似乎沒有直接聯繫。一個電路的小信號模型中存在某一個節點,這個節點有兩條通路與其他節點連接,其中一條通路為電容,另一 條為電阻。那麼這個節點的電壓為零就可能是此電路的解,電阻那條通路的電流情況就有兩種:1是流進,在這種情況下就會產生一個負極點,因為只有在頻率為「 負」的情況下,電容通路才會有電流流出使得流進/出此節點的電流相等;2是沒有電流,意思就是通過電阻與此連接的節點也是個零點,當然也可能是地,這樣就 啥都沒了。其實還有一種情況是電阻被一個理想電流源代替,那麼相比前面提到的情況就多了一種,那就是有電流流出,這樣就產生一個正零點,這就是我們在普通 兩級amp中正零點一樣。

2。這個問題似乎並不重要,因為對於一個稍微複雜的電路,要直觀的看出其非主零/極點是很不容易的,通過電路的小信號來計算傳遞函數是個不錯的方法。

5說說我的理解:

一般地,零點可以增加增益,極點減少增益,而我們在反饋的時候,是希望在相位下降到180度之前,增益就已經降低到一,所以我們需要消除一個零點,以免發生震盪

6.

1. a zero means there is a null effect for the signal going through. While a pole means there is a boosting effect for teh signal going through.

2. Pole and Zero actually is not always Pole or Zero because they can be exchanged depending on feedback and also depending on which point you are looking from(e.g. zero at open loop and will be pole at close loop



)

3. So please do not confused by them. Also treat the circuit as a path which signal goes in or comes out. Actually, Pole and Zero concept is just a mathematical point of view. The true meaning is how signal responds when its frequecny approaches them.

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引用:http://zhgjdy.blog.163.com/blog/static/133083765200911993844837/

ORCAD A、B屬性修改  





        用ORCAD畫原理圖時,可能是在不經意的修改中造成了元件屬性A和B的不同(正常情況B和A的屬性完全相同),試試選中dsn文件,然後在菜單Design中選擇:Remove Occurrence Properties,選擇Yes!此時保留A屬性.

(如果我需要B屬性而非A屬性怎麼辦呢?同樣選中dsn,然後執行菜單Accessories>Transfor Occ. prop. to Instance>Push Occ. Prop to Instance. ).

使A.B屬性一致.再導網表到ALLEGRO PCB.問題解決.


 

      其實你在 tool-annotate 菜單選中 Update instances 就可以對白色的A屬性重新編號,然後再選中 Update Occurences 就可以對黃色的B屬性編號,這時A B便會統一。

 

 

http://www.pcbtech.net/article/soft/021916052007/1605.html 

http://www.eda365.com/thread-62299-1-1.html

延伸閱讀:

Instance and Occurrence properties 注意事項

http://www.graser.com.tw/Graser_Big5/new_data/tactic/B/OrCAD_instance/OrCAD_instance.pdf

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一般常見到的Notebook 筆電轉接頭規格,分為下列幾種

ABCDE 為常用的,同一家廠牌就有可能規格不同,實際使用還是要測量自己筆電接頭規格,

或是查詢 適用機種表列

引用網拍內容:

廠商: iNeno

廠商: Wellsend 威而省



 

 

資料來源: http://mrbattery-tw.blogspot.com/

 

【電池教室03】電池的電壓、電流及容量介紹

「儲 存 電 能」的裝置。電池先生經常將電池比喻成裝「電」 的水壺,來說明許多人對電池特性的疑問。雖然每種電池的電氣特性不同,但是就二次電池來說,如:鎳鎘、鎳氫、鋰離子電池,其電氣特性大同小異。本期的電池教室將為
您介紹,電壓,電流及容量上的關係與觀念。
電池等於「裝電」的水壺
mAh 單位,是以電流 ( mA-毫安培 ) 與時間 ( h-小時 ) 的乘積所計算出來的。
(mAh = mA x H)

簡單的說,如果有一顆鎳氫電池標示容量為2000mAh,若以每小時1000mA的電流將電「充」入此電池,那大約2小時就可將電池裝滿電;若以每小時 200mA的電流將電充入此電池,那大約10小時就可將電池裝滿電。雖然理論上的計算是如此,但是所有電池皆為化學材料組成,化學反應有一定的速率範圍, 所影響的就是充電時間的長短。
另外,二次電池的容量,雖標示為2000mAh,但經過充電及放電後,其容量會逐次減少,所以我們經常聽到「本電池可充放電500次以上」,其代表的意義並不是第501次電池就不能用,正確的說法應為:電池經完全充電,並且完全放完電後來回的次數為500次以上,並且其第501次測量電池容量時,還有標示容量的80%或60%,這樣才符合二次電池的品質標準


電池的電壓
電池種類
鎳氫電池
(Ni-MH)
鋰離子電池
(Li-ion)
完全放電截止電壓
1.0V
2.7V or 3.0V
額定電壓
1.2V
3.6V or 3.7V
完全充飽電壓
1.35V ~1.C4V
4.1V ~ 4.2V


電池電流的關係
以一顆AA鎳氫電池,容量為2000mAh來說明,C-rate用來表示電池在充電或放電時所用的電流為多少?
  •  0.2C 代表2000mAh乘以0.2等於400mA,0.5C代表2000mAh乘以0.5等於1000mA, 1C代表2000mAh乘以1等於2000mA。
  •  對電池用以0.5C充電或放電,就是表示以電池容量乘上0.5 所產生的數值去充電或放電。

每一種二次電池,在充電或放電時都有一個電流輸入(充電)或輸出(放電)的限制,超過此限制,電池容易劣化,壽命就減短。

電池種類 鎳氫電池 鎳鎘電池 鋰離子電池
充電電流(最高) 1C 3~5C 1C
放電電流(最高) 2C 10C 1.5C

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引用: http://hi.baidu.com/doyanger/blog/item/f72ecaef8fcc7d212cf53433.html

USB的掛起和喚醒 (Suspend and Resume)
2009-03-29 22:13

   USB協議的第9章講到USB可見設備狀態[Universal Serial Bus Specification, Section 9.1.1, Pg 239],分為連接(Attached),上電(Powered),默認(Default),地址(Address),配置(Configured)和掛 起(Suspended)6個狀態。所謂可見,即USB系統和主機可見的狀態,其他狀態屬於USB設備內部而不可見。其中有關電源的,大致可分下面三類:
1. 連接狀態(Attached):設備連接,但未提供電源。
2. 上電狀態(Powered):設備被覆位(Reset),或者說處於地址、配置狀態。(參見USB枚舉過程,USB Specification, page 241)
3. 掛起狀態(Suspended):3 ms未見總線活動而處於省電狀態,設備不可用,但仍然保持原有的USB地址和配置。

設備的掛起
我們知道,在USB系統中,正常狀態下hub或root hub會一直週期性地發送SOF包(Start Of Frame,全速USB每1ms發送一個,高速USB則是125
µs 發送一個)。根據USB協議,如果USB線上一直處於空閒(Idle)狀態超過3ms,設備應該把它當作一個掛起(Suspended)信號,要求設備在 10ms內進入掛起狀態,並把設備所需的電流大小降到規定的值(對於low-power設備,要求是500 µA,而對於high-power或支持遠程喚醒(remote wakeup)功能的設備是2.5mA【Section 7.2.3, Pg176】)。在掛起狀態中,設備必須繼續向數據項D+/D-的上拉電阻提供電壓以維持Idle狀態。而對於USB2.0高速設備,還有些額外的要求:
1. 高速設備在
收到掛起信號(3ms空閒)後,應在0.125ms內切換到全速狀態,也就是說要把終端電阻移除,並在D+數據線上重新掛上1.5k上拉電阻。
2. 設備在隨後的100-875µs內檢測數據線上的狀態。如果該狀態是一個
Full speed J,那麼說明host發下來的是一個掛起信號;如果此時該狀態是SE0,說明是host drive數據線D+到0,這是一個復位信號(復位信號會持續至少10ms時間)。
  要注意的是高速設備在掛起狀態時處於高速模式,只是所用的是全速信號。一旦從掛起狀態恢復回來,會馬上進入高速工作狀態而無需進行復位操作。


USB High Speed Suspend Signal
  如上圖所示,Host在a點停止發送SOF,系統處於SE0狀態,b點是3ms時間點,之後的125µs內,設備移除終端電阻,並掛上1.5k上拉。此時如host發送的是suspend信號,那它就不會不drive D+數據線,導致D+被設備拉高,形成一個Full Speed J狀態。在c點之後100-875µs內設備檢測此時host行為,發現是suspend信號,設備內部進入低功耗的掛起(suspend)狀態。(假如hsot發送的是復位信號,那麼當設備在c點掛1.5k電阻之後,由於host對D+線的drive作用,D+線無法被拉高,仍然處於SE0狀態,設備在c點之後的檢測,發現的還是SE0狀態,等到10ms後就可判斷這是一個復位信號,進行設備復位操作。)


設備的喚醒
  設備處於掛起狀態時,任何總線上的活動(非空閒信號)都可以把設備喚醒/恢復,從而退出低功耗模式。(同樣,設備也可以換醒host,比如電腦待機時通過USB鍵盤來換醒主機,這種功能稱之為「遠程喚醒」(remote wakeup),不在本文的討論範圍內。)
  因為設備掛起時處於全速信號,在當host需要把將設備 退出suspend狀態時,需要先發送一個持續時間超過20ms的Fulll Speed K狀態。設備

看到K狀態結束的1.3us內醒過來,而host需要在3ms內發送uSOF信號以維持正常的高速信號模式,否則設備又將進入 suspend。如下圖所示:

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微波爐

對岸整理讀關於維波爐相關知識,想當豐富可以參考看看

http://www.truevue.org/weibolu

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http://www.52rd.com/bbs/Detail_RD.BBS_131889_58_1_1.html

 

 

http://www.google.com.tw/url?sa=t&source=web&cd=2&ved=0CCIQFjAB&url=http%3A%2F%2Fbbs.ednchina.com%2Fattachment.aspx%3Fattachmentid%3D124&ei=C4qmTcy-IITCvQPp_IiTCg&usg=AFQjCNGiHVBnKmW0VyEAWcqrOrzSOB82wQ&sig2=Hh7RFDdfQj_VlvVhNiAu8g

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 解讀USB-IF電池充電規範

>>2010-1-6 2:36:00
 

  背景

  2009年4月,全球移動通信系統協會(GSMA)聯合OTMP(手機開放組織聯 盟)17家移動運營商和製造商宣佈實施跨行業的通用充電器標準,此標準採納了USB-IF的micro-USB接口作為手機數據和充電的統一接口,並採納 USB-IF的Battery Charging 規範作為充電規範。USB-IF公佈了1.1版的Battery charging規範(以下簡稱為BC規範),比起兩年前公佈的1.0版本,這個新版本有了較大更新和補充。同時,與之配套的測試規範也正在制定中,預計 將在年內頒佈和實施。屆時USB Battery Charging相關測試項目將納入到USB兼容測試認證中。

  電池充電規範

  原有USB2.0規範並沒有考慮到使用USB接口為便攜式設備的電池進行充電的需求,而這樣的需求卻越來越多。BC規範要解決的就是這個問題,符合規範的設備和系統即向下兼容USB2.0標準,又針對充電做出了特別的優化。

  實際上,BC規範的核心內容就是引入了充電端口識別機制。一個符合BC規範的便攜式 USB設備或OTG設備通過這套機制可以識別出是插到了一個標準的USB下行接口(Standard Downstream Port );一個USB專用充電器(USB Charger);還是一個針對充電做過優化的USB下行接口(Charging Downstream Port)。然後,這些設備將根據不同的情況,按照BC規範的要求來獲取不同的電流。

  便攜式設備和三種USB充電接口

  ● Portable Device

  Portable Device(以下簡稱PD)指電池供電的便攜式USB外設或者OTG設備,可以通過USB接口來為自身的電池充電。BC規範建議這些的PD應該具備相應的端口識別能力和對從USB總線獲取電流的控制能力。

  ● Standard Downstream Port

  基本上,這個Standard Downstream Port指符合現有USB2.0規範的主機(HOST)或集線器(HUB)上的下行USB接口。根據USB2.0規範,當USB外設處於未連接(un- connect)或休眠(suspend)的狀態時,一個Standard Downstream Port可向該外設提供不超過2.5mA的平均電流;當外設處於已經連接並且未休眠的狀態時,電流可以至最大100mA;而當外設已經配置 (configured )並且未休眠時,最大可從VBUS獲得500mA電流。

  ● Charging Downstream Port

  Charging Downstream Port是即兼容USB2.0規範,又針對USB充電作出了優化的下行USB接口,它可以是主機上的USB接口,也可以是USB集線器上的。這些下行 USB接口能配合Portable Device 完成充電端口識別動作,並提供最大至1.5A的供電能力,滿足PD大電流快速充電的需求。

今後很有可能會出現這樣的產品,一台筆記本電腦上1個Charging Downstream Port和多個Standard Downstream Port同時存在,用戶可以將手機或其他PD連接到Charging Downstream Port進行快速充電,並且在充電的同時可以進行數據連接。

  ● USB Charger

  BC1.1規範中定義的USB Charger與目前市面上可以買到的USB專用充電器類似。USB Charger通過USB口為PD提供充電所需電能,BC1.1要求將USB Charger中的D+和D-進行短接,以配合PD的識別動作,但它不具備和USB設備通信的能力。規範中對USB Charger的電壓電流輸出能力做出了較嚴格要求,以確保PD的安全。

  USB端口識別機制

  BC規範的核心在於充電識別機制,通過這個機制,當PD插入到USB接口時,PD將識別出所插入的USB接口類型。

  當PD插入到USB接口以後,它向D+上加載一個0.6V左右的電壓 (VDP_SRC),隨後,PD開始檢測D-線上的電壓,查看是否收到0.6V的電壓回應(VDM_SRC)。因為Standard Downstream Port不會對D+上的0.6V信號作出任何回應,所以如果PD插入的是Standard Downstream Port,那麼D-將保持為低電平(圖1)。

 在Charging Downstream Port中,採用了與PD類似並且與之互補的檢測電路,當它檢測到D+上有0.6V時,它將隨即向D-加載0.6V電壓,以回應PD;而在USB Charger中,由於D+和D-是短接的,所以當D+上被加載0.6V電壓時,D-也變成了0.6V。所以,PD插入到Charging Downstream Port 或是USB charger, 則D-線上會被回應一個0.6v電壓。此後,PD先將D+(PD為高速或全速設備)或D-(PD為低速設備)拉高至邏輯高電平, 然後通過檢測另外一根數據線的電壓來區分是Charging Downstream Port 還是USB charger。因為Charging Downstream Port在充電檢測時期,只回應VDP_SRC而不會回應邏輯高電平,所以它將保持數據線為低(圖2)。

  由於USB charger內部短接了D+和D-,如果一根數據線被拉高,那麼另一根數據線也將變成高電平(圖3)。

  通過以上的檢測機制,PD就可以識別出所插入的是何種USB端口。

 無電電池充電機制

  無電電池充電機制Dead Battery Provision(以下簡稱DBP)在BC1.1規範中是一個獨立的章節,DBP針對一個裝有無電或低電量電池的PD插入到Standard Downstream Port的情況進行了新的規範,它實際上是對USB2.0規範的擴展,確保BC1.1規範向下兼容USB2.0規範。

  USB2.0規範要求USB外設在未連接HOST時,從VBUS吸取的電流不能超過 2.5mA。但有一些PD在啟動時的數秒鐘內需要消耗100mA以上的電流,如果這些便攜設備自身的電池電量不足或徹底沒電時,它將從VBUS上獲取這些 電流。因此,當這樣的設備插入到USB端口時,可能無法啟動;更多情況是,由於多數HOST或者HUB並不限制設備消耗的電流,因此設備將以大電流啟動, 雖然他們也可以正常工作,但是這將導致USB系統的不穩定,同時這些設備也不能通過USB兼容認證測試。

  DBP就是針對這種情況,有條件地放寬了USB2.0的要求。DBP規定,使用電池的便攜 式USB設備在插入(Attach)到USB端口到和主機連接(Connect)這一時間段內,最多可以從VBUS獲取100mA的電流(USB2.0標 準是2.5mA),但是要滿足下列條件:

  ● PD安裝的電池應該處於無電或低電量的狀態,即PD使用這樣的電池將不能開機;

  ● 當PD插入到USB端口以後並需要開始獲取大於2.5mA的電流時,PD須將D+拉高至0.5-0.7V,並一直保持到和主機連接(Connect);

  ● 這些從VBUS獲取的電流應該用於PD給電池充電,從而使得PD最終能夠連接(Connect)和枚舉(Enumerate);

  ● 這個以大於2.5mA電流充電的過程不得超過45分鐘。

  充電電流比較

  BC規範通過對原有USB2.0的擴展和引入新的充電機制,較大地提升了USB接口的充電能力,方便PD以大電流快速充電。表1給出了不同情況下,供給PD充電的最大電流。

  輔助充電適配器(Accessory Charger Adapter)

  BC1.1較之1.0版本,新引入了輔助充電適配器(Accessory Charger Adapter 以下簡稱ACA)的概念。

  隨著便攜式設備變得越來越小,多數的PD只有一個USB接口用於連接外設或者充電, 但連接外設和充電不能同時進行。例如,當一部手機通過USB接口連接了外置耳麥的時候,就不能通過USB接口進行充電了。ACA的用途就是讓PD可以同時 連接USB外設和通過USB端口充電。

  ACA具有三個端口:OTG Port用於連接便攜式設備(OTG Device);Accessory Port 用於連接USB外設;Charger Port用於連接USB充電端口,可以是一個USB專用充電器也可以是一個Charging Downstream Port(圖4)。

 

相關測試

  目前,和BC1.1配套的測試規範正在由USB-IF Battery Charging小組制定中。根據BC1.1的內容,測試規範將分成三個部分:Portable Device Compliance Plan;Charging Port Compliance Plan;ACA Compliance Plan。

  其中,前兩個部分完成後,將被納入到現有的USB兼容測試證中去。也就是說,如果一個PD產品需要獲得USB兼容性認證(使用USB Logo),不僅要進行傳統USB兼容測試,還要進行BC部分的測試。

  Portable Device Compliance Plan檢測PD是否滿足BC1.1規範,主要有兩個方面,一是針對BC1.1中的DBP部分,重點檢查當一個安裝電池的PD插入一個Standard Downstream Port時,PD從USB總線消耗的電流是否滿足要求;消耗的電流是否只用於電池充電而不用於其他;當PD消耗的電流以大於2.5mA時,PD是否向D+ 上加載0.6v電壓;PD插入USB端口時的衝擊電流是否滿足要求等等。另一方面,Portable Device Compliance Plan將著重測試PD的充電端口檢測機制。被測PD將被分別連接至Stand Downstream Port,Charging Downstream Port和Dedicated Charging Port,同時,PD上的電壓(VBUS)、電流( IBUS)、D+,D-將被記錄下來,這些電壓電流以及時序關係將被用來判斷該PD是否符合BC1.1規範。

  Charging Port Compliance Plan針對USB專用充電器以及Charging Downstream Port進行測試。主要包括對電壓,電流等輸出參數的測試,還包括上衝/下衝,短路/恢復等特定情況的測試。

  需要指出的是,目前已經頒佈的中國手機充電器標準(YDT 1591-2006)與本測試的部分內容相似,但也有所區別。總體上來講,YDT 1591-2006只針對USB充電器作出了規範,並在充電器絕緣、安規等方面給出了詳細的要求;而BC1.1規範引入了完善的充電機制並給出了相關的具 體要求,它涉及充電電能的使用者(便攜式外設)和充電電能的提供者(USB端口)兩個方面。而對於USB專用充電器部分, BC1.1中有專門定義和規範,並且對於USB專用充電器輸出能力、短路保護、標識等提出更詳細的要求。

  結語

  USB是一個成功的接口標準,數以億計的USB設備遍佈於我們的生活中。BC1.1規範 給予了USB標準以新的活力,它一方面解決了現有USB2.0標準的不足,另一方面為消費者提供了更大的便利。相信會有更多的USB便攜式設備使用USB 接口進行充電,也相信BC標準會在不久的將來得到迅速推廣和普及。

Battery Charging Specification

http://www.usb.org/developers/devclass_docs

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高密度互連 HDI(High Density Interconnection )

 

引用:http://blog.cnyes.com/My/andyuwccb/article264131

HDI印製板製造技術簡介

HDI印 製板的出現,完全滿足了實現電子產品小型化、輕量化、薄型化的要求,是常規多層印製板製造技術的重大變革。 HDI印製板的製造技術不僅包括埋孔、盲孔的製造,如激光鑽孔、光致成孔、等離子體蝕孔等成孔技術及其電氣互連技術,而且出現了一批新型的基板材料(如附 樹脂銅箔)及塗覆材料,同時在產品加工設備、定位系統、產品檢驗等方面均有新的發展。
HDI印 製板在日本稱之為積層式多層板(build—up multi layer,BUM)。它的製造方法有多種,如採用光致成孔法的SLC(surface laminar circuit)技術;採用覆樹脂銅箔和激光鑽孔的CLLAVIS(CMK lamination multi laser via hole system)技術;採用導電膏實現電氣互連的ALIVH(any layer inner via hole)技術及Bz it(buried bump interconnection technology)技術等。
HDI線路板的定義
美 國PCB業者於1994年.4月組成一合作性社團ITRI(Interconnection Technology Research Institute).同年9月展開高密度電路板的製作研究,特稱為October Project先後利用Motorola的試驗樣板MTV1及MRTV2.2(1996.6)
以 非機鑽方式進行微型盲孔的製作,如雷射燒孔Laser Ablation感光成孔Photo-Via,電漿蝕孔Plasma Etching以及鹼液蝕孔等做法完成樣,並進行品質與可靠評估。1997.7.15出版Microvia評估之October Project Phase 1 Round 2的Report,於是正式展開“高密度互連HDI”的新時代。
HDI的定義
凡 非機械鑽孔,所得孔徑在0.15mm(6mil)以下(大部分為盲孔),孔環(Annular Ring or Pad or Land)之環徑在0.25mm(10mil)以下者,特稱為Microvia微導孔或微孔。凡PCB具有微孔,且接點(Connection)密度在 130點/寸2以上,佈線密度(Channel為50mil者)在117寸/寸2以上者,稱為HDI類PCB,其線寬/間距為3mil /3mil或更細更窄。
此High Density Interconnection 事實上與較早流行的Build-up Multilayer差異不大,兩者與傳統PCB主要的不同即在成孔方式。經這幾年來的試煉後,四種非機鑽孔法中,雷射成孔已成為主流。二氧化碳雷射產於5mil以上手機板的微盲孔,YAG雷射則用於3mil以下封裝載板(Substrate)之領域。
HDI之市場產品
按產品之特性不同,HDI微盲孔增層板之用途可大分為︰
1、
行動電話手機,以及筆記型電腦等,前者孔書極多以輕薄短小及功能為目標,後者是位加強重點訊號線之品質,故孔數不多。
2 高階電腦與網路通訊以及周邊之大型高層板(14層以上之High Layer Count)類,著眼於“訊號完整性”(Signal Integrity)及嚴格之特性阻抗(Characteristic Impedance)控製之高功能板類為目標,孔數不多。
3、 精密封裝載板類(Packaging Substrate),涵蓋打線(Wine Board)及覆晶(Flip Chip)之各種精密載板(又稱為Interposer或Module Board),L/S達2mil/2mil孔徑僅1-2mil,孔距亦低於5mil。 HDI產品舉例ALIVH(Any Layer Interstitial Via Hole)
此 為“松下電子部品”(Matsushita Electric Component)之專利製程,是採杜邦公司之“聚硫胺”(poly-Aramid)商品Thermount之短纖紙材,含浸高功能環氧樹脂類樹脂而膠 片,再以雷射成孔與塞入銅膏,並雙面壓覆銅皮以及線後,即成可導通互連的雙面板。
以完工的雙面內層板,搭配已塞銅膏的膠片,以及外層銅皮,三者共同壓合而成複雜的多層板,因係一次完工故良率比逐次增層法更好。
ALIVH 現有
standard ALVIH 用於手機板,已佔60%,且更被Nokia、 Ericaaon所採用
ALIVH-B可用於較大型精密主板ALIVH-FB 可用於極精密的各種封裝載板(Substrate)
 
iPhone 4G 加溫小摩:看好欣興健鼎
【聯合晚報╱記者蔡佳容/台北報導】2010.05.14 02:54 pm
iPhone 4G原型機再度於越南現身,摩根大通證券根據網絡上的拆解照片分析,新款iPhone的PCB基板應會採取更高階的Any-Layer HDI(高密度連接)製程技術,其平均銷銷價格有機會倍增,預期在蘋果的帶動下,今年下半年將快速且廣泛地被智慧型手機業者採用,有助PCB業者獲利,重 申看好欣興(3037)和健鼎(3044)。
摩根大通证券自4月19日率先翻多欣兴和健鼎,随后带起外资圈对PCB族群的价值重估行情,包含瑞信、麦格理证券纷纷喊进。摩根大通證券自4月19日率先翻多欣興和健鼎,隨後帶起外資圈對PCB族群的價值重估行情,包含瑞信、麥格理證券紛紛喊進。根据摩根斯丹利证券统计,外资分析师最爱的前15大个股。根據摩根斯丹利證券統計,外資分析師最愛的前15大個股。而随着最新一代iPhone原型机的曝光,PCB基板的升级又再度炒热族群投资行情。而隨著最新一代iPhone原型機的曝光,PCB基板的升級又再度炒熱族群投資行情。
摩 根大通证券分析,当前的智慧型手机的基板多采用HDI二阶或三阶制程,HDI三阶以上如Any-Layer的渗透率仍低;然而,iPhone 4G为了增加电池的性能、同时缩小整体体基,势必得采用更高的技术,预期下半年Any-Layer就将量产。摩根大通證券分析,當前的智慧型手機的基板多 采用HDI二階或三階製程,HDI三階以上如Any-Layer的滲透率仍低;然而,iPhone 4G為了增加電池的性能、同時縮小整體體基,勢必得採用更高的技術,預期下半年Any-Layer就將量產。
 
欣興、健鼎沾光小摩看好
·          2010-05-16工商時報【記者張志榮/台北報導】
4iPhone原型機經拆解後發現,PCB基板可望採用更高階的「任意層高密度連接板(any-layer HDI)」,摩根大通證券指出,由於此一高階PCB平均銷售價格(ASP)比低階產品高出1倍左右,只要良率沒問題,將提升PCB族群下半年的獲利,具備any-layer HDI技術的欣興(3037)與健鼎(3044)可受惠。
     所謂any-layer HDI,是比目前HDI一階、HDI二階、HDI三階等更高階的產品,從HDI一階升級至any-layer HDI,可望減少40%左右的體積。
     摩根大通證券亞太區下游硬體製造產業首席分析師郭彥麟指出,包括第1iPhone3G iPhone3GS iPhone在內,所採用的PCB均為陽春的HDI一階產品,相較其他智慧型手機業者大多已採用HDI二階或HDI三階產品,相對落後,第4iPhone可能會採用any-layer HDI
     郭彥麟指出,就像所有最新的製程技術一樣,越高階產品通常都享有溢價優勢,畢竟得投入更多的資本支出,any-layer HDI的最大優勢,就是讓電力消耗更具效率、達到省電功能。
     郭彥麟表示,既然4iPhone可能採用的PCBany-layer HDI,基於剛開始良率考量,對PCB廠商的獲利挹注多少很難預估,但以any-layer HDIASP為低階產品的1倍來看,只要良率可以通過考驗,將大幅挹注下半年獲利。
     郭彥麟指出,欣興與健鼎目前是3GS iPhonePCB供應商,目前尚不知是否納入第4iPhone供應商,但新款iPhone果若採用any-layer HDI,勢必會帶動PCB產業的全面升級需求。
     郭彥麟認為PCB全面升級情況很快就會發生原因是,PCB僅佔智慧型手機BOM1%不到,更何況iPhone在智慧型手機產業具帶頭作用,由於欣興與健鼎均擁有any-layer HDI技術,未來可望在PCB全面升級過程受惠。
     根據摩根大通證券的看法,目前均給予欣興與健鼎「加碼」投資評等,目標價則分別為60160元,所分別適用的23.5倍股價/淨值比(P/B值),則均為歷史平均值的高點。

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引用: http://blog.cnyes.com/My/andyuwccb/article264131

 

HDI印製板製造技術簡介

HDI印製板製造技術簡介

HDI印 製板的出現,完全滿足了實現電子產品小型化、輕量化、薄型化的要求,是常規多層印製板製造技術的重大變革。 HDI印製板的製造技術不僅包括埋孔、盲孔的製造,如激光鑽孔、光致成孔、等離子體蝕孔等成孔技術及其電氣互連技術,而且出現了一批新型的基板材料(如附 樹脂銅箔)及塗覆材料,同時在產品加工設備、定位系統、產品檢驗等方面均有新的發展。
HDI印 製板在日本稱之為積層式多層板(build—up multi layer,BUM)。它的製造方法有多種,如採用光致成孔法的SLC(surface laminar circuit)技術;採用覆樹脂銅箔和激光鑽孔的CLLAVIS(CMK lamination multi laser via hole system)技術;採用導電膏實現電氣互連的ALIVH(any layer inner via hole)技術及Bz it(buried bump interconnection technology)技術等。
HDI線路板的定義
美 國PCB業者於1994年.4月組成一合作性社團ITRI(Interconnection Technology Research Institute).同年9月展開高密度電路板的製作研究,特稱為October Project先後利用Motorola的試驗樣板MTV1及MRTV2.2(1996.6)
以 非機鑽方式進行微型盲孔的製作,如雷射燒孔Laser Ablation感光成孔Photo-Via,電漿蝕孔Plasma Etching以及鹼液蝕孔等做法完成樣,並進行品質與可靠評估。1997.7.15出版Microvia評估之October Project Phase 1 Round 2的Report,於是正式展開“高密度互連HDI”的新時代。
HDI的定義
凡 非機械鑽孔,所得孔徑在0.15mm(6mil)以下(大部分為盲孔),孔環(Annular Ring or Pad or Land)之環徑在0.25mm(10mil)以下者,特稱為Microvia微導孔或微孔。凡PCB具有微孔,且接點(Connection)密度在 130點/寸2以上,佈線密度(Channel為50mil者)在117寸/寸2以上者,稱為HDI類PCB,其線寬/間距為3mil /3mil或更細更窄。
此High Density Interconnection 事實上與較早流行的Build-up Multilayer差異不大,兩者與傳統PCB主要的不同即在成孔方式。經這幾年來的試煉後,四種非機鑽孔法中,雷射成孔已成為主流。二氧化碳雷射產於5mil以上手機板的微盲孔,YAG雷射則用於3mil以下封裝載板(Substrate)之領域。
HDI之市場產品
按產品之特性不同,HDI微盲孔增層板之用途可大分為︰
1、
行動電話手機,以及筆記型電腦等,前者孔書極多以輕薄短小及功能為目標,後者是位加強重點訊號線之品質,故孔數不多。
2 高階電腦與網路通訊以及周邊之大型高層板(14層以上之High Layer Count)類,著眼於“訊號完整性”(Signal Integrity)及嚴格之特性阻抗(Characteristic Impedance)控製之高功能板類為目標,孔數不多。
3、 精密封裝載板類(Packaging Substrate),涵蓋打線(Wine Board)及覆晶(Flip Chip)之各種精密載板(又稱為Interposer或Module Board),L/S達2mil/2mil孔徑僅1-2mil,孔距亦低於5mil。 HDI產品舉例ALIVH(Any Layer Interstitial Via Hole)
此 為“松下電子部品”(Matsushita Electric Component)之專利製程,是採杜邦公司之“聚硫胺”(poly-Aramid)商品Thermount之短纖紙材,含浸高功能環氧樹脂類樹脂而膠 片,再以雷射成孔與塞入銅膏,並雙面壓覆銅皮以及線後,即成可導通互連的雙面板。
以完工的雙面內層板,搭配已塞銅膏的膠片,以及外層銅皮,三者共同壓合而成複雜的多層板,因係一次完工故良率比逐次增層法更好。
ALIVH 現有
standard ALVIH 用於手機板,已佔60%,且更被Nokia、 Ericaaon所採用
ALIVH-B可用於較大型精密主板ALIVH-FB 可用於極精密的各種封裝載板(Substrate)
 
iPhone 4G 加溫小摩:看好欣興健鼎
【聯合晚報╱記者蔡佳容/台北報導】2010.05.14 02:54 pm
iPhone 4G原型機再度於越南現身,摩根大通證券根據網絡上的拆解照片分析,新款iPhone的PCB基板應會採取更高階的Any-Layer HDI(高密度連接)製程技術,其平均銷銷價格有機會倍增,預期在蘋果的帶動下,今年下半年將快速且廣泛地被智慧型手機業者採用,有助PCB業者獲利,重 申看好欣興(3037)和健鼎(3044)。
摩根大通证券自4月19日率先翻多欣兴和健鼎,随后带起外资圈对PCB族群的价值重估行情,包含瑞信、麦格理证券纷纷喊进。摩根大通證券自4月19日率先翻多欣興和健鼎,隨後帶起外資圈對PCB族群的價值重估行情,包含瑞信、麥格理證券紛紛喊進。根据摩根斯丹利证券统计,外资分析师最爱的前15大个股。根據摩根斯丹利證券統計,外資分析師最愛的前15大個股。而随着最新一代iPhone原型机的曝光,PCB基板的升级又再度炒热族群投资行情。而隨著最新一代iPhone原型機的曝光,PCB基板的升級又再度炒熱族群投資行情。
摩 根大通证券分析,当前的智慧型手机的基板多采用HDI二阶或三阶制程,HDI三阶以上如Any-Layer的渗透率仍低;然而,iPhone 4G为了增加电池的性能、同时缩小整体体基,势必得采用更高的技术,预期下半年Any-Layer就将量产。摩根大通證券分析,當前的智慧型手機的基板多 采用HDI二階或三階製程,HDI三階以上如Any-Layer的滲透率仍低;然而,iPhone 4G為了增加電池的性能、同時縮小整體體基,勢必得採用更高的技術,預期下半年Any-Layer就將量產。
 
欣興、健鼎沾光小摩看好
·          2010-05-16工商時報【記者張志榮/台北報導】
4iPhone原型機經拆解後發現,PCB基板可望採用更高階的「任意層高密度連接板(any-layer HDI)」,摩根大通證券指出,由於此一高階PCB平均銷售價格(ASP)比低階產品高出1倍左右,只要良率沒問題,將提升PCB族群下半年的獲利,具備any-layer HDI技術的欣興(3037)與健鼎(3044)可受惠。
     所謂any-layer HDI,是比目前HDI一階、HDI二階、HDI三階等更高階的產品,從HDI一階升級至any-layer HDI,可望減少40%左右的體積。
     摩根大通證券亞太區下游硬體製造產業首席分析師郭彥麟指出,包括第1iPhone3G iPhone3GS iPhone在內,所採用的PCB均為陽春的HDI一階產品,相較其他智慧型手機業者大多已採用HDI二階或HDI三階產品,相對落後,第4iPhone可能會採用any-layer HDI
     郭彥麟指出,就像所有最新的製程技術一樣,越高階產品通常都享有溢價優勢,畢竟得投入更多的資本支出,any-layer HDI的最大優勢,就是讓電力消耗更具效率、達到省電功能。

PCB設計與生產PCB板過孔技術介紹


高速PCB 的設計在通信、計算機、等領域廣泛應用,所有高科技附加值的電子產品設計都在追求低功耗、低電磁輻射、高可靠性、小型化、輕型化等特點,為了達到以上目標,在高速PCB 設計中,過孔設計是一個重要因素。

1、過孔
過孔是多層PCB 設計中的一個重點,過孔的結構主要由三部分組成一是孔二是孔周圍的焊盤區三是POWER 層隔離區。過孔的工藝過程是在過孔的孔壁圓柱面上用化學沉積的方法鍍上一層金屬,用以連通中間各層需要連通的銅箔,而過孔的上下兩面做成普通的焊盤形狀, 可直接與上下兩面的線路相通,也可不連。過孔可以起到電氣連接,固定或定位器件的作用。過孔示意圖如圖1 所示。
www.pcbcj.com                               

過孔分為三類:盲孔埋孔和通孔。
盲孔:指位於印刷線路板的頂層和底層表面,具有一定深度用於表層線路和下面的內層線路的連接,孔的深度與孔徑通常有一定的比率。

埋孔,指位於印刷線路板內層的連接孔,它不會延伸到線路板的表面。

盲孔與埋孔兩類孔都位於線路板的內層,層壓前利用通孔成型工藝完成,在過孔形成過程中可能還會重疊做好幾個內層。

通孔是孔穿過整個線路板,可用於實現內部互連或作為元件的安裝定位孔。通孔在工藝上好實現,成本較低,所以一般印製電路板均使用通孔。過孔的分類如圖2 所示

 2、過孔的寄生電容
過孔本身存在著對地的寄生電容,若過孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2,過孔焊盤的直徑為D1,PCB的厚度為T,板基材介電常數為ε,則過孔的寄生電容大小近似於:
C =1.41εTD1/(D2-D1) 過孔的寄生電容會給電路造成的主要影響是延長了信號的上升時間,降低了電路的速度,電容值越小則影響越小。
     郭彥麟表示,既然4iPhone可能採用的PCBany-layer HDI,基於剛開始良率考量,對PCB廠商的獲利挹注多少很難預估,但以any-layer HDIASP為低階產品的1倍來看,只要良率可以通過考驗,將大幅挹注下半年獲利。
     郭彥麟指出,欣興與健鼎目前是3GS iPhonePCB供應商,目前尚不知是否納入第4iPhone供應商,但新款iPhone果若採用any-layer HDI,勢必會帶動PCB產業的全面升級需求。
     郭彥麟認為PCB全面升級情況很快就會發生原因是,PCB僅佔智慧型手機BOM1%不到,更何況iPhone在智慧型手機產業具帶頭作用,由於欣興與健鼎均擁有any-layer HDI技術,未來可望在PCB全面升級過程受惠。
     根據摩根大通證券的看法,目前均給予欣興與健鼎「加碼」投資評等,目標價則分別為60160元,所分別適用的23.5倍股價/淨值比(P/B值),則均為歷史平均值的高點。

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http://tw.myblog.yahoo.com/lcdtvmonitor-repair/article?mid=256&prev=307&next=-1

基本穩壓限流電路設計

 

  • 稽納二極體 & 特性
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基本 ZENER 穩壓電路

 

並聯式穩壓電路

 

 

串聯式穩壓電路

 

 




 



 

 

 

 

 

 

 

Cheap Voltage Regulator 5V to 3.3V

 

 

 

Basic Power Supply Current Limiting Circuit

 

Power Supply Circuit with feedback and Current Limiting

 

 

Power Supply with feedback and Transistor Current limiting

 


 

 

 


 

 

 

 


 

 

Current Limiter

 

 

Current Limiting using BJT

 

Variable (Adjustable) Current Limiter Circuit

This circuit provide automatic current limiting up to 8.4A. Unlike current limiter that uses only a resistor, this current limiting circuit doesn’t drop the voltage, or at least keep the voltage drop at minimum, until a certain current amount is exceeded. This current amount limit is adjustable from 1.4 A to 8.4A using a potentiometer. You can modify the component value to give different current limiting range. Here is the circuit’s schematic diagram:

The resistor R1 is there to sense the current. At R2 potentiometer at minimum resistance (the center tap connected to R1), if the current drawn by the load reach 1.2A then the voltage across R1 reach 0.6V and Q2 begin conducting, thus shorting the base voltage of Q4 to ground. This shorting action reduce the base current and therefore reduce the output voltage sensed by the load, and prevent the current to flow further. If you need the current limiter to limit at lower threshold range, you can change the R1 to 1R and you’ll get about 0.7A to 4.2A adjustment range.

Because of the power dissipation capability of 2N3055 transistor, at the worst case that the load is shorted to ground (zero resistance), if you limit the current to 8.4 A then the circuit can handle maximum source voltage of 14V, while limiting the current at 4.2A can handle up to 27V source voltage. The maximum voltage can be handled by this circuit is 60 volt, but at that maximum voltage you can only safely set the current limit at 1.9A in the extreme condition, when the load is shorted to ground. Please make sure the Q1 transistor has sufficient heat sink. [Circuit Schematic Source: Designed by FreeCircuitDiagram.Com

 

 

 

       A current-limiting circuit both signals a latch-up condition and prevents latch-up- induced overcurrent destruction of a CMOS IC or group of ICs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A complete solid-state circuit breaker. The blue section is optional, only necessary if you wish to have a fault indicator light.

 

 

 

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固定限流
如下圖所示為電壓調節電路,與前述調
節電路不同的是我們加入了電晶體 Q3 與限
流電阻 R4,這二個元件形成限流保護電路。
當負載電流小於 600mA 時,在 R4 的電壓降
小於 0.6V,Q3 截止,這時候,調節器動作
如前面所描述的。
當負載電流在 600 至 600 mA 之間,跨於 R4
上的電壓為 0.6 到 0.7V 之間,足夠使 Q3 導通。
此時 Q3 的集極電流增加,而 Q2 的基極電流
減少以避免負載電流過度的增加。其工作
的順序為:                 
    IL↑,VR4↑,IB3↑,IC3↑,VC3↓,
    VB2↓,IB2↓,IE1↓,I2↓

[ 本帖最後由 haro2003 於 2009-7-16 16:51 編輯 ]

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15-16.gif

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帝爺廟前乾麵 [瞌睡麵、喥咕麵]
地址 地址:宜蘭縣羅東鎮中山路三段197號
網址 營業時間:11:00 ~ 賣完為止

 

延伸閱讀

200809宜蘭羅東帝爺廟前喥咕麵-宜蘭一日遊(12-1)

mobil01帝爺廟前乾麵 [瞌睡麵、喥咕麵]

 

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http://blog.ednchina.com/tengjingshu/125149/message.aspx

 

轉載自http://blog.ednchina.com/tengjingshu/125149/message.aspx

 

 

PCB設計銅鉑厚度、線寬和電流關係*************************************************************************

 關於PCB線寬和電流的經驗公式,關係表和軟件網上都很多,本文把網上的整理了一下,旨在給廣大工程師(當然包括自己啦)在設計PCB板的時候提供方便。

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PCB設計銅鉑厚度、線寬和電流關係

 

    以下總結了網上八種電流與線寬的關係公式,表和計算公式,雖然各不相同(大體相近),但大家可以在實際的PCB板設計中,綜合考慮PCB板的大小,通過電流,選擇一個合適的線寬。

 

一、PCB電流與線寬

 

PCB載流能力的計算一直缺乏權威的技術方法、公式,經驗豐富CAD工程師依靠個人經驗能作出較準確的判斷。但是對於CAD新手,不可謂遇上一道難題。

PCB的載流能力取決與以下因素:線寬、線厚(銅箔厚度)、容許溫升。大家都知道,PCB走線越寬,載流能力越大。假設在同等條件下,10MIL的走線能承受1A,那麼50MIL的走線能承受多大電流,是5A嗎?答案自然是否定的。請看以下來來自國際權威機構提供的數據:

供的數據:

線寬的單位是:Inch(1inch=2.54cm=25.4mm

數據來源:MIL-STD-275 Printed Wiring for Electronic Equipment

  

  

1.jpg  

參考文獻:pdf.gif  

 

 

二、PCB設計銅鉑厚度、線寬和電流關係

 

在瞭解PCB設計銅鉑厚度、線寬和電流關係之前先讓我們瞭解一下PCB 敷銅厚度的單位盎司、英吋和毫米之間的換算:"在很多數據表中,PCB 的敷銅厚度常常用盎司做單位,它與英吋和毫米的轉換關係如下:
1 盎司 = 0.0014 英吋 = 0.0356 毫米(mm

2
盎司 = 0.0028 英吋 = 0.0712 毫米(mm
盎司是重量單位,之所以可以轉化為毫米是因為pcb的敷銅厚度是盎司/平方英吋"   

PCB設計銅鉑厚度、線寬和電流關係表

 

 

 

 

2.jpg  

 

也可以使用經驗公式計算:0.15×線寬(W)=A

以上數據均為溫度在25℃下的線路電流承載值.

導線阻抗:0.0005×L/W(線長/線寬)

電流承載值與線路上元器件數量/焊盤以及過孔都直接關係

 

參考文獻:pdf.gif  

 

另外 導線的電流承載值與導線線的過孔數量焊盤的關係

 

導線的電流承載值與導線線的過孔數量焊盤存在的直接關係(目前沒有找到焊盤和過孔孔徑每平方毫米對線路的承載值影響的計算公式,有心的朋友可以自己去找一下,個人也不是太清楚,不在說明)這裡只做一下簡單的一些影響到線路電流承載值的主要因素。

 

1、在表格數據中所列出的承載值是在常溫25度下的最大能夠承受的電流承載值,因此在實際設計中還要考慮各種環境、製造工藝、板材工藝、板材質量等等各種因素。所以表格提供只是做為一種參考值。

 

2、 在實際設計中,每條導線還會受到焊盤和過孔的影響,如焊盤教多的線段,在過錫後,焊盤那段它的電流承載值就會大大增加了,可能很多人都有看過一些大電流板 中焊盤與焊盤之間某段線路被燒燬,這個原因很簡單,焊盤因為過錫完後因為有元件腳和焊錫增強了其那段導線的電流承載值,而焊盤與焊盤之間的焊盤它的最大電 流承載值也就為導線寬度允許最大的電流承載值。因此在電路瞬間波動的時候,就很容易燒斷焊盤與焊盤之間那一段線路,解決方法:增加導線寬度,如板不能允許 增加導線寬度,在導線增加一層Solder層(一般1毫米的導線上可以增加一條0.6左右的Solder層的導線,當然你也增加一條1mmSolder層導線)這樣在過錫過後,這條1mm的導線就可以看做一條1.5mm~2mm導線了(視導線過錫時錫的均勻度和錫量),如下圖:

 

 

 

 3.JPG  

 

 

像此類處理方法對於那些從事小家電PCB Layout的朋友並不陌生,因此如果過錫量夠均勻也錫量也夠多的話,這條1mm導線就不止可以看做一條2mm的的導線了。而這點在單面大電流板中有為重要。

 

3、圖中焊盤周圍處理方法同樣是增加導線與焊盤電流承載能力均勻度,這個特別在大電流粗引腳的板中(引腳大於1.2以上,焊盤在3以上的)這樣處理是十分重要的。因為如果焊盤在3mm以上管腳又在1.2以上,它在過錫後,這一點焊盤的電流就會增加好幾十倍,如果在大電流瞬間發生很大波動時,這整條線路電流承載能力就會十分的不均勻(特別焊盤多的時候),仍然很容易造成焊盤與焊盤之間的線路燒斷的可能性。圖中那樣處理可以有效分散單個焊盤與周邊線路電流承載值的均勻度。

最後再次說明:電流承載值數據表只是一個絕對參考數值,在不做大電流設計時,按表中所提供的數據再增加10%量就絕對可以滿足設計要求。而在一般單面板設計中,以銅厚35um,基本可以於11的比例進行設計,也就是1A的電流可以以1mm的導線來設計,也就能夠滿足要求了(以溫度105度計算)。

 

參考文獻:pdf.gif

 

三、PCB設計時銅箔厚度,走線寬度和電流的關係

 

信號的電流強度。當信號的平均電流較大時,應考慮布線寬度所能承載的的電流,線寬可參考以下數據:

PCB設計時銅箔厚度,走線寬度和電流的關係

不同厚度,不同寬度的銅箔的載流量見下表:

 

 

  

4.jpg  

 

註:

i. 用銅皮作導線通過大電流時,銅箔寬度的載流量應參考表中的數值降額50%去選擇考慮。

ii. PCB設計加工中,常用OZ(盎司)作為銅皮厚度的單位,1 OZ銅厚的定義為1 平方英呎面積內銅箔的重量為一盎,對應的物理厚度為35um2OZ銅厚為70um

 

摘自:華為PCB布線規範內部資料 P10

 

四、如何確定大電流導線線寬

  

5.jpg 
6.jpg 
7.jpg  
8.jpg 

 

 

  利用PCB的溫度阻抗計算軟件計算(計算線寬,電流,阻抗等)PCBTEMP

   

依次填入Location (External/Internal)導線在表面還是在FR-4板內部、Temp 溫度(Degree C)Width線寬(Mil)、Thickness厚度(Oz/Mil,再點Solve即可求出通過的電流,也可以知道通過的電流,求線寬。非常方便。

 

 

 

9.JPG  

 

 

  可以看到同第一種方法的結果差不多(20攝氏度,10mil線寬,也就是0.010inch線寬,銅箔厚度為1 Oz

 

 

  軟件下載

 

 

  這個應該根據IPC-D-275標準計算得到的。關於IPC-D-275

 

1998年,IPC-D-275改編為IPC-2221《印製板設計通用標準》及IPC-2222《剛性有機印製板設計分標準》。

參考:http://ask.smthome.net/question.php?qid=4

      http://industry.yidaba.com/dzdgdq/hybz/41500.shtml

 

IPC-2221 Generic Standard on Printed Board Design

《印製板設計通用標準》

下載:

http://www.victronics.cl/Inf_tecnica/Notas%20de%20aplicacion/PCBs/IPC-2221(L).pdf

 

IPC-2222 Sectional Standard on Rigid Organic Printed Boards   

         《剛性有機印製板設計分標準》

 

下載: http://space.ednchina.com/Upload/Blog/2008/6/15/f98b2136-cda3-42db-8ac1-9d30e96b9e56.pdf

 

 

六 經驗公式


   I=KT0.44A0.75

 

(K為修正係數,一般覆銅線在內層時取0.024,在外層時取0.048
T為最大溫升,單位為攝氏度(銅的熔點是1060
)
A
為覆銅截面積,單位為平方MIL(不是毫米mm,注意是
square mil.)
I
為容許的最大電流,單位為安培
(amp)
一般 10mil=0.010inch=0.254可為 1A,250MIL=6.35mm,8.3A

 

七、某網友提供的計算方法如下

 

先計算track的截面積,大部分pcb的銅箔厚度為35um(不確定的話可以問pcb廠家)它乘上線寬就是截面積,注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經驗值,為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。

 

八 關於線寬與過孔鋪銅的一點經驗

 

我們在畫PCB時一般都有一個常識,即走大電流的地方用粗線(比如50mil,甚至以上),小電流的信號可以用細線(比如10mil)。對於某些機電控制系統來說,有時候走線裡流過的瞬間電流能夠達到100A以上,這樣的話比較細的線就肯定會出問題。

 

一個基本的經驗值是:10A/平方mm,即橫截面積為1平方毫米的走線能安全通過的電流值為10A如果線寬太細的話,在大電流通過時走線就會燒燬。當然電流燒燬走線也要遵循能量公式:QI*I*t,比如對於一個有10A電流的走線來說,突然出現一個100A的電流毛刺,持續時間為us級,那麼30mil的導線是肯定能夠承受住的。(這時又會出現另外一個問題??導線的雜散電感,這個毛刺將會在這個電感的作用下產生很強的反向電動勢,從而有可能損壞其他器件。越細越長的導線雜散電感越大,所以實際中還要綜合導線的長度進行考慮)

        

一般的PCB繪製軟件對器件引腳的過孔焊盤鋪銅時往往有幾種選項:直角輻條,45度角輻條,直鋪。他們有何區別呢?新手往往不太在意,隨便選一種,美觀就行了。其實不然。主要有兩點考慮:一是要考慮不能散熱太快,二是要考慮過電流能力。

 

    使 用直鋪的方式特點是焊盤的過電流能力很強,對於大功率回路上的器件引腳一定要使用這種方式。同時它的導熱性能也很強,雖然工作起來對器件散熱有好處,但是 這對於電路板銲接人員卻是個難題,因為焊盤散熱太快不容易掛錫,常常需要使用更大瓦數的烙鐵和更高的銲接溫度,降低了生產效率。使用直角輻條和45角輻條會減少引腳與銅箔的接觸面積,散熱慢,焊起來也就容易多了。所以選擇過孔焊盤鋪銅的連接方式要根據應用場合,綜合過電流能力和散熱能力一起考慮,小功率的信號線就不要使用直鋪了,而對於通過大電流的焊盤則一定要直鋪。至於直角還是45度角就看美觀了。

 

    為什麼提起這個來了呢?因為前一陣一直在研究一款電機驅動器,這個驅動器中H橋的器件老是燒燬,四五年了都找不到原因。在一番辛苦之後終於發現:原來是功率回路中一處器件的焊盤在鋪銅時使用了直角輻條的鋪銅方式(而且由於鋪銅畫的不好,實際只出現了兩個輻條)。這使得整個功率回路的過電流能力大打折扣。雖然產品在正常使用過程沒有任何問題,工作在10A電流的情況下完全正常。但是,當H橋出現短路時,該回路上會出現100A左右的電流,這兩根輻條瞬時就燒斷了(uS級)。 然後呢,功率回路變成了斷路,儲藏在電機上的能量沒有瀉放通道就通過一切可能的途徑散發出去,這股能量會燒燬測流電阻及相關的運放器件,擊毀橋路控制芯 片,並竄入數字電路部分的信號與電源中,造成整個設備的嚴重損毀。整個過程就像用一根頭髮絲引爆了一個大地雷一樣驚心動魄。

   

那麼,為什麼在功率回路中的焊盤上只使用了兩個輻條呢?為什麼不讓銅箔直鋪過去呢?因為,生產部門的人員說那樣的話這個引腳太難焊了!設計者正是聽了生產人員的話,所以才...

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為什麼我們用的電是50HZ,為什麼不能是60HZ

引用

http://www.chinakong.com/rencai/disp.asp?id=933&leibie=4

 

為什麼我國的電源是採用50Hz的,而外國有的國家採 用60Hz的電源?我國在制定此標準時是依據什麼呢?50Hz和60Hz電源的優點、缺點在哪裡?兩者對負載的功率有沒有影響?另外,機場和飛機上又為什 麼採用400Hz的電源?
   
    其實50H和60HZ的區別不是很大,沒有實質性的問題。不過是發電機的轉速略有差別。選擇50HZ或60HZ,在一個國家裡,總得一致。
   
    應當引起人們關注的倒是,為什麼要採用50HZ或60HZ,而不是更高或更低。
   
    在電氣系統裡,頻率是一個很重要的基本要素,並不是隨意確定的。
   
    這一個問題看起來簡單,實際上是一個比較複雜的問題,涉及的方面比較多,從原理上追溯,應當從麥克斯韋發現了經典電磁理論、赫茲為麥克斯韋的理論添上了至 關重要的一筆、法拉第的法拉第電磁感應定律及其世界上第一台電磁感應發電機、英國工程師瓦特金首先製出了電動機,法國人皮克希製成了發電機、西門子發現了 發電機的原理,發明了發電機,這是發電機領域的第一例實際應用等說起。
   
    此後人們發現總結出來的定理為,週期性地改變方向的電流叫做交流電,電流發生1個週期性變化的時間叫做週期,每秒電流發生變化的次數做頻率,單位是赫茲 (為了紀念赫茲的貢獻)。交流電的頻率為50(60)赫,電流方向每秒鐘發生50(60)個週期性的變化,每秒改變的次數為100(120)次。
   
    電動機是根據通電線圈在磁場中轉動的基本原理製成的。如果將電動機線圈兩端加兩個銅製滑環及分別與滑環接觸的兩個電刷就成為交流發電機(原理)。發電機是 實現將機械能轉化為電能的裝置,需要原動機拖動。
   
    頻率大小的確定與發電機、電動機及變壓器等的構造、材料等有關。
   
    50赫的兩極發電機的同步轉速是3000轉/分,而如果頻率上升一倍達到100赫,那麼同步轉速將會是6000轉/分。如此高的速度將會給發電機的製造帶 來很多問題,特別是轉子表面的線速度太高,必將大大限制容量的增加。另外,從使用角度看,頻率過高,使得電抗增加,電磁損耗大,加劇了無功的數量。譬如以 三相電機為例,其電流大大下降,輸出功率及轉矩也大大下降,實在沒有益處。另外,如果採用較低的頻率譬如30赫,變壓效率低,那麼將不利於交流電的變壓和 傳輸。
   
    現代電力系統的頻率即電力系統中的同步發電機產生的正弦基波電壓的頻率。頻率是整個電力系統統一的運行參數,一個電力系統只有一個頻率。我國和世界上大多 數歐洲國家電力系統的額定頻率為50Hz。美洲地區多數是60Hz。大多數國家規定頻率偏差±0.1~0.3Hz之間。在我國,300萬kW以上的電力系 統頻率偏差規定不得超過±0.2Hz;而300萬kW以下的小電力系統的頻率偏差規定不得超過±0.5Hz。由於大機組的運行對電力系統頻率偏差要求比較 嚴格,因此有些國家對電力系統故障運行方式的頻率偏差也作了規定,一般規定在±0.5~±1Hz之間。超過允許的頻率偏差,大機組將跳閘,這不利於系統的 安全穩定運行。
   
    在電力系統內,發電機發出的功率與用電設備及送電設備消耗的功率不平衡,將引起電力系統頻率變化。當系統負荷超過或低於發電廠的出力時,系統頻率就要降低 或升高,發電廠出力的變化同樣也將引起系統頻率變化。
   
    另外,我國電網的頻率變化範圍是±1Hz。因為頻率調節慣量較大,範圍小容易引起電網振盪,作過溫控或恆壓的人應該理解。在大網並網前,蘭州地區的電網頻 率在50.5Hz以上,上海地區在49.5Hz左右。現在的大網並網有利於電網頻率及電壓穩定。
   
    載波頻率越高,正弦波型越好,電機繞組的諧波越少。但是輻射干擾能量提高,干擾周邊電氣設備。
   
    電網頻率的差異取決於人們的計算習慣,美洲的大規模發電較早,當時的計算工具主要是英制(12進制)計算尺,為便於計算,用60Hz,稍晚一點的規模電網 都用10進制數據,50Hz更方便些。
   
    關於電壓等級,分為發電機和電動機兩個系列,我們常說的電壓是電動機電壓,是基本系列,220V為基礎,每乘1.414並圓整後為一個等級,變頻器電壓除 外;發電機電壓為同等級的電動機電壓加5%並圓整。所以只有230V或400V的發電機而沒有220V或380V的發電機。
   
    機場的特殊情況是:機載發電機要求體積小重量輕,只有提高頻率才能滿足功率要求,所以相應的機載電氣設備用400Hz,與飛機相關的電源要400赫茲咯! 軍用的更高的也有。
   
    航空器上的電源採用400Hz就是為了減小體積和重量,是一個複雜的系統工程。軍電和航電的400Hz主要取決於以下幾點:1、頻率高的發電機或電動機由 於轉速高、轉矩小而體積、重量較小;2、飛機上發電機的動力取自航空發動機,轉速較高;3、直流用電設備較多,頻率高有利於減小整流紋波。
   
    在相同電壓的情況下,50hz與60hz及400hz電源在傳輸功率上、整流效率有什麼不同?
   
    不用100Hz或120Hz是因為頻率太高,一方面傳輸困難,做變頻器的對線路感抗及容抗的理解應該是深刻的;另一方面,發電機和電動機的轉速太高或極數 太多都不可取。400Hz的電不能遠距離傳輸,用戶在訂購400Hz發電機時要給定傳輸距離及方式,整流效率也差,但整流後紋波較小,紋波頻率較高,好處 理.
   
    如果50赫茲投入需要60赫茲的生產線, 交流電機速度降低,(電機速度與頻率成正比)電機發熱,長時間工作必燒無疑. 控制系統一般通過整流和開關電源,應該沒事。還要看一下對頻率敏感的器件.(大前題,電壓等級一致)
   
    如果要研究將50Hz電源直接供電給需要60Hz電源的生產線上使用,主要考慮電磁器件的電磁特性,如電動機、變壓器,其次是與電源頻率有關的採樣信號。 對於前者,研究的方法可以找到這兩個器件的電磁表達式,分別將50Hz和60Hz帶進去,就可以發現一些問題。徐武安《電感器件設計與計算〉,四川科技出 版社,1985.08,其中的103頁-106頁主要講高頻變壓器的設計計算,其中有些理論可以引申到電動機上去。後者不用說就知道了。
   
    對於異步電機而言,將50Hz的電源供給60Hz的負載時,轉速降低是肯定的,電壓應按電機銘牌電壓降低1/6供應,此時電機可長期運行,且轉矩、電流不 變,功率減小了1/6。若電壓不降低,會造成電機磁路飽和,空載電流和空載損耗增大很多。
   
    對於電感器,感抗減小1/6。對於60Hz專用的接觸器,改為50Hz,容易誤脫扣。但目前一般都是50/60Hz通用的。
   
    發達國家也有50HZ的,比如歐洲大多數國家。小國也有採用60HZ的,比如小日本。
   
    日本電源標準的起源,在網上見到以下敘述:
   
    「日本有兩個週波數,關東是50赫茲,關西是60赫茲!怎麼會有這種邪門事?很簡單,日本人向老外學發電時,關東人跟歐洲人學,買50赫茲的發電機,而關 西人則跟美國人學,買60赫茲的發電機!」
   
    「關東指的是首都圈,也就是東京都23區和周圍的神奈川,琦玉等好幾個縣的一部分,而關西指京阪神(京都,大阪,神戶)及周圍地區。」
   
    「廣州最早的電廠
   
    年,英商旗昌洋行看中這塊風水寶地,開辦粵垣電燈公司,設有鍋爐及發電機四台,發電容量546千瓦(時),後被官商合股收購,徵用附近街店舖擴充廠房。 1933年,電力增加至2.4萬千瓦。這是廣州最早的電廠。」
   
    英國的電源標準是 50HZ 單相230V,三相400V,和我國現行的標準接近,可能早期購入的設備就成為一個事實標準;
      
    動亂割據的舊中國,除寶島台灣由於受日本長期佔領和美國影響,電源標準是60HZ以外,尚能夠維持電源標準的統一(好像日偽滿時東北曾有110V的電 源).
   
    解放前,我國多種電壓和頻率並存,主要與發電設備的生產國的制式有關,解放後,我國沿用蘇聯的制式,就成了現在的樣子。
   

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飛機和船隻使用的是400Hz頻率的交流系統,
因為高頻率的變壓器鐵心磁損較少效率較高,
變壓器鐵心可以不必做那麼大也有不錯的效率,
這在飛機和船隻有限的空間及重量上很有幫助。
電腦用的頻率甚至有上數百KHz,但缺點是容易產生高頻雜訊干擾。

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Latch Circuits

http://www.discovercircuits.com/L/latch.htm

 

http://www.discovercircuits.com/DJ-Circuits/4013oneshots.htm

PUSHBUTTON ONESHOT AND LATCH
This circuit uses a single IC to convert a noisy pushbutton switch signal into a clean pulse or a sustained push on-push off signal. It can operate from 3v to 18v.
 

Click on Drawing Below to view PDF version of Schematic

Circuit CD4013 One-Shot and Latch Circuits designed by David A. Johnson, P.E. (March 26, 2002)

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引用: 雁塔菜地

手动的”CRC16IBM(A001)的16字表长查表演算过程

 

 

 

参见: CRC-16-IBM(A001)的16字表长查表程序

 

 

CRC多項式(菜農稱之功能更強的「權」)


新版本(主要是適應任何CRC和對付「階級敵人」):
http://www.hotc51.com/HotPower_HotWC3.html

注意以下2種設置方法(前者是默認設置,後者可以改成與舊版本一樣):




舊版本
http://www.hotc51.com/HotPower_HotWC3_V220.html

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