常用紅外線遙控器編碼

IR Remote Control Protocal

http://www.sbprojects.com/knowledge/ir/nec.php

IR RC Theory
ITT Protocol
JVC Protocol
Mitsubishi Protocol
NEC Protocol
Nokia NRC17
Sharp Protocol
Sony SIRC
Philips RC-5
Philips RC-6
Phiilps RC-MM
Philips RECS80
RCA Protocol
X-Sat Protocol
Other Protocols

http://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/bastelecke/Rund%20um%20den%20PC/USB2LPT/index.html.en

http://gc.digitw.com/DATA-DOC/ConstCurReg.pdf

http://empty-area.blogspot.com/2010/10/source-current-and-sink-current.html

【整理】open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三極管等基礎知識

版本：v20110804    作者：crifan  郵箱：green-waste (at) a163.com

http://bbs.chinaunix.net/thread-3577868-1-1.html

Open collector

Open collector & open drain must add pull-up resistor

http://en.wikipedia.org/wiki/Open_collector

open drain

[電子]Interfacing the 3-volt DataFlash with a 5-volt System

http://atmel.com/dyn/resources/prod_documents/DOC3297.PDF

 注:鑑於很多電子初學者對什麼是TTL電平,什麼是CMOS電平不清楚.也不能瞭解CMOS電平與TTL電平的區別.特別在網上找到這篇TTL和CMOS電平總結.感謝作者的工作.

1，TTL電平(什麼是TTL電平)：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
2，CMOS電平：
1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3，電平轉換電路：
因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。哈哈
4，OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。
5，TTL和COMS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈衝頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現象。
3）COMS電路的鎖定效應：
COMS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒燬芯片。
防禦措施： 1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。
2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。
3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟COMS電路得電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉COMS電路的電源。
6，COMS電路的使用注意事項
1）COMS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對幹擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。
2）輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。
3）當接長信號傳輸線時，在COMS電路端接匹配電阻。
4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5）COMS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞COMS。
7，TTL門電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：
1）懸空時相當於輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。
2） 在門電路輸入端串聯10K電阻後再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻 小於910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。COMS門電路就不用考慮這些 了。
8，TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時有漏電流輸出， 那就是漏電流，為什麼有漏電流呢？那是因為當三機管截止的時候，它的基極電流約等於0，但是並不是真正的為0，經過三極管的集電極的電流也就不是真正的 0，而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：OC門的輸出就是開漏輸出；OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所 以，為了能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩衝/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。
9，什麼叫做圖騰柱，它與開漏電路有什麼區別？
TTL集成電路中，輸出有接上拉三極管的輸出叫做圖騰柱輸出，沒有的叫做OC門。因為TTL就是一個三級關，圖騰柱也就是兩個三級管推挽相連。所以推挽就是圖騰。一般圖騰式輸出，高電平400UA，低電平8MA

引用: http://bbs.innoing.com/frame.php?frameon=yes&referer=http%3A//bbs.innoing.com/viewthread.php%3Ftid%3D13523

選擇正確的MOSFET
  J' C0 o( ?* F- Z# e% N
MOSFET是電氣系統一些最基本的元件，但隨著製造技術的發展和進步，系統設計人員必需跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的產品。本文將討論如何根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。
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在產品開發環節，許多設計工程師都是設計系統主要功能的專家。然而，由於缺乏資源和時間，他們中許多還得在板卡上開發外設子系統。這類子系統可能包括功率 結構和拓墣。許多工程師可能缺少構建功率結構方面的經驗，因而需要協助。所以，對他們來說瞭解如何為其設計選擇正確的MOSFET就非常重要。- J! u( y! u2 j+ M
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MOSFET選擇
MOSFET有兩大類型：N通道和P通道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N通道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導 通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，元件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過元件。雖然這時元件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。2 p, V& }# e; s% k# K
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第一步步：選用N通道還是P通道
為設計選擇正確元件的第一步是決定採用N通道還是P通道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到幹線電壓上時，該 MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N通道MOSFET，這是出於對關閉或導通元件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負 載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓墣中採用P通道MOSFET，而此也是出於對電壓驅動的考慮。2 D- u0 a# Y% ^  u, Z

要選擇適合應用的元件，必需確定驅動元件所需的電壓，以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者元件所能承受的最大電壓。額定電壓 越大，元件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大於幹線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而 言，必需確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必需在整個工作溫度 範圍內測試電壓的變化範圍。額定電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍，確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機 或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，可攜式設備為20V、FPGA電源為20-30V、85VAC-220VAC應用為 450V-600V。6 u' n# }$ m* R
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第二步：確定額定電流  E1 r: k4 x( a2 |' Y2 c1 h# X/ U( T
第二步是選擇MOSFET的額定電流。視乎電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必需確保所選的 MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，MOSFET處於穩態，此時電 流連續通過元件。脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電流）流過元件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的元件便可。
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選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET並不是理想的元件，因為在導電過程中會有電能損耗；這稱之為導通損耗。MOSFET在 「導通」時像一個可變電阻，由元件的RDS（ON）所確定，並隨溫度而顯著變化。元件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫 度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。對系統設計人員來 說，這就是取決於系統電壓而需要折衷權衡的地方。對可攜式設計來說，採用較低的電壓比較容易（較為普遍），而對於工業設計，可採用較高的電壓。注意 RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電氣參數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。& i6 v4 V% l0 U, N$ U3 ^& X
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技術對元件的特性有著重大影響，因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS（ON）增大。對於這樣的技術，如果打算降低VDS和RDS（ON），那麼 就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術，其中最主要的是通道和電荷平衡技術。

在通道技術中，晶片中嵌入了一個深溝，通常是為低電壓預留的，用於降低導通電阻RDS（ON）。為了減少最大VDS對RDS（ON）的影響，開發過程中採 用了外延生長柱╱蝕刻柱製程。例如，快捷半導體開發了稱為SuperFET的技術，針對RDS（ON）的降低而增加了額外的製造步驟。這種對 RDS（ON）的關注十分重要，因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時，RDS（ON）會隨之呈指數級增加，並且導致晶片尺寸增大。SuperFET製 程將RDS（ON）與晶片尺寸間的指數關係變成了線性關係。這樣，SuperFET元件便可在小晶片尺寸，甚至在擊穿電壓達到600V的情況下，實現理想 的低RDS（ON）。結果是晶片尺寸可減小達35％。而對於最終用戶來說，這意味著封裝尺寸的大幅減小。
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第三步：確定熱要求
選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必需考慮兩種不同的情況：即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果 提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量資料；比如封裝元件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結 溫。

元件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積，其公式如下：' [: ?6 `9 q2 B  B& w3 x; V# T9 `


•        《公式一》　
•        結溫=最大環境溫度+（熱阻×功率耗散）

根據這個方程可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。由於設計人員已確定將要通過元件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的 RDS（ON）。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設計人員還必需考慮半導體結╱元件外殼及外殼╱環境的熱容量；即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。

雪崩擊穿是指半導體元件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使元件內電流增加。該電流將耗散功率，使元件的溫度升高，而且有可能損壞元件。半導體公司都 會對元件進行雪崩測試，計算其雪崩電壓，或對元件的穩健性進行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法；一是統計法，另一是熱計算。而熱計算因為較為實用而得到 廣泛採用。不少公司都有提供其元件測試的詳情[1]。除計算外，技術對雪崩效應也有很大影響。例如，晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終並提高元件的穩 健性。對最終使用者而言，這意味著要在系統中採用更大的封裝件。/ N' s- E+ Y$ \/ _
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第四步：決定開關性能- k; D7 s2 ^: \" o: W+ {; K9 \# j
選擇MOSFET的最後一步是決定MOSFET的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極╱漏極、柵極╱源極及漏極╱源極電容。這些電容會 在元件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOSFET的開關速度因此被降低，元件效率也下降。為計算開關過程中元件的總損耗，設計人員必 需計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：$ w2 c# `. l/ ]8 C) a5 s3 X


•        《公式二》
•        Psw=（Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。# W! F% @% l# r) l  t
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基於開關性能的重要性，新的技術正在不斷開發以解決這個開關問題。晶片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使元件尺寸增大。為了減少開關損耗，新的技術如通 道厚底氧化經已應運而生，旨在減少柵極電荷。舉例說，SuperFET這種新技術就可通過降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導損耗 和提高開關性能。這樣，MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變（dv╱dt）和電流瞬變（di╱dt），甚至可在更高的開關頻率下可靠地工作。

因為自由空間的相對磁導率和介電常數等於1，所以我們可以其特性阻抗：

z₀=(u/ξ)^1/2=(u₀/ξ₀)^1/2=((4П*10^-7)/(8.85*10^-12))^1/2 =377 ohm

請問為什麼：u_0⁼4П*10^{-7      ξ}0_⁼8.85*10^-12

[原創]飲冰室茶集

在茫茫人海之中與妳想遇
很快的彼此互相吸引，展開一場熱戀
或許是因為一切都來的太快
開始害怕是否自己真的擁有這份幸福

引用http://www.sig007.com/bookpaper/119.html

High-speed Digital Design - A handbook of black magic

霍華德-約翰遜的大作   經典中的經典

信號完整性領域絕對的經典之作

內容簡介本書是信號完整性領域的一部經典著作，英文版已經重印了將近20次。

全書結合了數字和模擬電路理論，對高速數字電路系統設計中的信號完整性和emc方面的問題進行了深入淺出的討論和研究。其中不僅包括了關於高速數字設計中emc方面的許多實用信息，而且包括了許多有價值的測試技術。

另外，書中詳細討論了涉及信號完整性方面的傳輸線、時鐘偏移和抖動、端接、過孔等問題。本書通俗易懂，是高速數字設計人員必備的參考書，實用性很強，獨特地將理論與實踐方法相結合，適合從事模擬和數字電路設計的相關人員使用。

這裡的是英文版，讀來讀去還是英文版好，原汁原味，不用擔心翻譯錯誤。

下載 High-speed Digital Design - A handbook of black magic

仁美街無名炸蛋餅

新北市三重區仁美街119號(光鈴興業有限公司)門口的路邊攤

Allan在地人推薦從小吃到大，好吃的炸彈餅，一次都吃兩個才會滿足

NT$25

通貨膨漲 (inflation)

經濟學家將通貨膨脹定義為“一般物價水準在某一時期內，連續性地以相當的幅度上漲

通貨緊縮（deflation）

意指整體物價水平下降，是一個與通貨膨脹相反的概念

歐文·費雪首次提出債務沉積-通貨緊縮鏈，成功地指出經濟波動的主要原因在於中央銀行貨幣供應不足，造成了企業債務沉積，進而造成全社會的通貨緊縮與經濟危機。

通貨緊縮是指當市場上的貨幣減少，購買能力下降，影響物價之下跌所造成的。長期的貨幣緊縮會抑制投資與生產，導致失業率升高與經濟衰退。

http://www.cbc.gov.tw/ct.asp?xItem=24666&ctNode=731

http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%80%9A%E8%84%B9

http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%80%9A%E8%B2%A8%E7%B7%8A%E7%B8%AE

【商業周刊】非懂不可！台幣升值的影響

http://www.youtube.com/watch?v=tGLaChdz1Vo 

http://blog.xuite.net/chenrj/88money/41717468

非懂不可！台幣升值的影響

美元兌新台幣一：二十八元的世界，你準備好了嗎？

以十月十一日台北匯市收盤價三十‧九九原為基準，

一美元兌二十八元，代表升值一0%。

想像一個畫面：
你皮夾裡的每張千元大鈔，都自動變成一千一百元；

每張百元大鈔上的國父孫中山，彷彿都因價值變高，

而越笑越燦爛。

這不是天方夜譚，新台幣升值潛力，比你我想像更大。
六月起，國際資金彷彿用「倒」的湧入新興市場，

引來「貨幣戰爭」之說。在這約一百二十天的貨幣戰爭中，

新台幣升幅比日、韓、泰、星、馬、菲等亞洲貨幣都低。

按照區域比價效應，以亞洲貨幣平均升幅計算，新台幣早該升破三十元關卡；

若比照台灣電子業競爭國韓元兌美元的升幅，新台幣升至二十九元也不為過。

若以高盛證券的模型估算，新台幣應升至二十六元！

以家庭資源管理理財投資而言，此時此刻，你將如何面對台幣升值的財務管理？

這是一個學習、討論、探究的機會點，歡迎夥伴或家人提供寶貴的觀點與看法。


台幣升值有何影響?
從利率、股市、房市、物價、產業面觀察，現階段新台幣反應市場供需勝值，優點多過缺點，「貶值救台灣」論點並不成立，如何讓多術民眾搭上財富列車，才是政府應該積極作為思考的事。因此，此時此刻，台幣升值，荷包將變厚、利息變多、房產保值，其影響觀點如下：

〈影響一〉產業：有利於進口業，不利於出口業。

有利：煉油、塑化等進口原物料產業，相同成本可買更多。

不利：以美國為主要市場的電子、機械出口業成本相對提高。

〈影響二〉利率：為了減輕市場資金浮濫壓力，利率將上調。

有利：存款戶存款利息增加。

不利：貸款戶資金成本將會加重。

〈影響三〉房市：短期影響少，長期對房價有支撐。

有利：投資性產品，包括高級住宅和商辦行情會看漲。

影響小：公寓、都更題材短期影響小，長期有支撐。

〈影響四〉股市：總體影響不大，主要還是要看個股的基本面。

有利：擁有土地資產股，與原物料鋼鐵股、塑化股等。

不利：電子股。尤其是面板廠，是以美金收入，以日幣支出〈設備&材料〉。

〈影響五〉物價：進口物價會下跌，有利物價平穩。

有利：1.玉米、大豆等進口物資價格會變便宜。

  2.以美元計價的商品同時也變便宜了。

影響小：國內生產的物資影響小。

 
一九九七年亞洲金融風暴前，美元兌新台幣就是二十八元，當時，美國景氣不比台灣差，美元兌新台幣都還有「二字頭」的實力。現在，美國景氣不如台灣，國際熱錢又湧向亞洲，無論就經濟基本面或資金面，新台幣都沒有理由，只能在「三字頭」打轉。不論從哪個角度看，美元兌新台幣一：二十八元的世界，可能離我們不遠了。但那會是個怎樣的世界？會像許多電子業者所擔心，重挫台灣景氣嗎？

答案很可能相反。本刊訪問各領域業者與專家後發現，以當前經濟條件考量，新台幣從三十一元升值至二十八元，非但不會重挫國內生產毛額（GDP），對一般民眾而言，還能享受荷包變厚、存款利息變多、房價有支撐、購買力提升、美元計價商品變便宜等優點！

如果我們純粹以中道的角度來看，你可以三天不打iPhone，

但是，你不能三天不把肚子餵飽。新台幣如果升到29塊；

進口黃豆飼料成本降低，沙拉油、豬肉等也會變便宜。

如想知道更多相關財經資訊；請閱讀商業周刊1195期或相關財經刊物；

同時也歡迎夥伴或家人提供訊息交流討論，

預祝大家 財源滾滾賺大錢…………。

資料引用來源：商業周刊1195期《封面故事：1：28的台灣》

Disable OrCAD16.5 start page, 禁用OrCAD16.5 start page

方法一

Invoke Capture.
1. Go to View > Toolbar and check the "Command Window" (If it is not checked)
2. Type the following command in Command Window and press ENTER
SetOptionBool EnableStartPage 0
3. Close the Capture and reopen. Now, the startup page would not come

方法二

Invoke Capture.

Accessories-->Candence Tcl/Tk Utilites--> Utilites
Tcl/Tk Applications Dashboard-->Extend Preference
Extend Preference(Settings)-->

unclick []Load web page on startup

NOTE:

如果出現下列訊息，表示要安裝TCL/TK 8.4

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This feature requires Tcl/Tk installation. We recommend ActiveState ActiveTcl version 8.4.

For more information refer to the document OrCAD_Capture_TclTk_Extensions.pdf in

<installation dir>\tools\capture\tclscripts

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